MG75Q2YS42 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MG75Q2YS42
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MG75Q2YS42 Datasheet (PDF)
mg75q2ys50.pdf
MG75Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3 s (Max) f @Iinductive load Low saturation voltage : V = 3.6 V (Max) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package The electrodes are Isolated from ca
Другие IGBT... MG75J1BS11 , MG75J1ZS40 , MG75J1ZS50 , MG75J2YS50 , MG75J2YS91 , MG75J6ES50 , MG75Q1BS11 , MG75Q2YS40 , FGPF4533 , MG75Q2YS50 , MG75Q2YS51 , MIEB100W1200DPFTEH , MIEB101W1200DPFEH , MIG10Q806H , MIG10Q806HA , MIG50Q201H , MITA150H1700TEH .
History: APTGF330DA60D3 | VS-GB400TH120N | MSG40T120FQC | BLG3040-P | APTGT75TDU120P | BLG60T65FDK-K | IRGS4640D
History: APTGF330DA60D3 | VS-GB400TH120N | MSG40T120FQC | BLG3040-P | APTGT75TDU120P | BLG60T65FDK-K | IRGS4640D
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n