MG75Q2YS51 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MG75Q2YS51
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MG75Q2YS51 Datasheet (PDF)
mg75q2ys50.pdf
MG75Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3 s (Max) f @Iinductive load Low saturation voltage : V = 3.6 V (Max) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package The electrodes are Isolated from ca
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: SGTP75V65SDB1P7 | SKM50GB12V | HGTP5N120BND | MMG75W120XT6TC | APTGF75DDA120T | APT25GP90BDF1 | IRGIB15B60KD1P
History: SGTP75V65SDB1P7 | SKM50GB12V | HGTP5N120BND | MMG75W120XT6TC | APTGF75DDA120T | APT25GP90BDF1 | IRGIB15B60KD1P
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802