IRG4PSC71KD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRG4PSC71KD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.83 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 107 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 730 pF
Тип корпуса: SUPER247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IRG4PSC71KD Datasheet (PDF)
irg4psc71kd.pdf

PD - 91684AIRG4PSC71KDPRELIMINARY Short Circuit RatedINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITHUltraFast IGBTULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODECFeatures Hole-less clip/pressure mount package compatible VCES = 600Vwith TO-247 and TO-264, with reinforced pins High abort circuit rating IGBTs, optimized forVCE(on) typ. = 1.83VmotorcontrolG Minimum switching losses comb
irg4psc71kdpbf.pdf

PD- 95901IRG4PSC71KDPbF Lead-Freewww.irf.com 109/15/04IRG4PSC71KDPbF2 www.irf.comIRG4PSC71KDPbFwww.irf.com 3IRG4PSC71KDPbF4 www.irf.comIRG4PSC71KDPbFwww.irf.com 5IRG4PSC71KDPbF6 www.irf.comIRG4PSC71KDPbFwww.irf.com 7IRG4PSC71KDPbF8 www.irf.comIRG4PSC71KDPbFwww.irf.com 9IRG4PSC71KDPbFCase Outline and Dimensions Super-247Super-247 (TO-
irg4psc71k.pdf

PD - 91683BIRG4PSC71KShort Circuit RatedINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORUltraFast IGBTCFeaturesVCES = 600V Hole-less clip/pressure mount package compatiblewith TO-247 and TO-264, with reinforced pinsVCE(on) typ. = 1.83V High abort circuit rating IGBTs, optimized forGmotorcontrol Minimum switching losses combined with low@VGE = 15V, IC = 60AEconduction
irg4psc71u.pdf

PD - 91681AIRG4PSC71UUltraFast Speed IGBTINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORFeatures C UltraFast switching speed optimized for operatingVCES = 600V frequencies 8 to 40kHz in hard switching, 200kHz in resonant mode soft switching Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on) typ. = 1.67VG parameter distribution and higher efficiency (minimum switching and conduct
Другие IGBT... IRG4PH40U , IRG4PH40UD , IRG4PH50K , IRG4PH50KD , IRG4PH50S , IRG4PH50U , IRG4PH50UD , IRG4PSC71K , RJH3047 , IRG4PSC71U , IRG4PSC71UD , IRG4PSH71K , IRG4PSH71KD , IRG4RC10K , IRG4RC10KD , IRG4RC10S , IRG4RC10SD .
History: MMG50A120B7HN | CPV364M4KPBF | IRG4PC30U | SSG55N60M | OST80N65HMF | OST75N65HSXF
History: MMG50A120B7HN | CPV364M4KPBF | IRG4PC30U | SSG55N60M | OST80N65HMF | OST75N65HSXF



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent