MIXA225RF1200TSF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MIXA225RF1200TSF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 360 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 690 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MIXA225RF1200TSF
MIXA225RF1200TSF Datasheet (PDF)
mixa225rf1200tsf.pdf

MIXA225RF1200TSFtentativeVCES = 1200 VXPT IGBT ModuleIC25 = 360 AVCE(sat) = 1.8 VBoost chopper + free wheeling Diodes + NTCPart numberMIXA225RF1200TSF52 1 8 9T43DBoostD10/116Features / Advantages: Applications: Package: SimBus F High level of integration - only one Brake for AC motor drives Industry standard outlinepower semiconductor module r
mixa225pf1200tsf.pdf

MIXA225PF1200TSFpreliminaryVCES = 2x 1200VXPT IGBT ModuleI= 360AC25VCE(sat) = 1.8VPhase leg + free wheeling Diodes + NTCPart numberMIXA225PF1200TSFBackside: isolated52 1 8 7 94310/116Features / Advantages: Applications: Package: SimBus F High level of integration - only one AC motor drives Isolation Voltage: V~3000 power semiconductor module re
mixa20w1200mc.pdf

MIXA20W1200MCSix-Pack VCES = 1200 VIC25 = 28 AXPT IGBTVCE(sat) = 2.1 VPart name (Marking on product)MIXA20W1200MCO9P9L9 S18 W18A5 E5 I14G14 K14C5A1 E1 K10C1G10H10Features: Application: Package: Easy paralleling due to the positive AC motor drives "ECO-PAC2" standard package temperature coefficient of the on-state Solar inverter Easy to mo
mixa20wb1200tmi.pdf

MIXA20WB1200TMItentative3~ Brake 3~XPT IGBT ModuleRectifier Chopper InverterVRRM = 1600 V VCES = 1200 V VCES = 1200 VIDAV = 70 A IC25 = 28 A IC25 = 28 AIFSM = 270 A VCE(sat)= 1.8 V VCE(sat) = 1.8 V6-Pack + 3~ Rectifier Bridge & Brake Unit + NTCPart numberMIXA20WB1200TMIBackside: isolatedP P1G1 G3 G5T1L1B UL2 V WL3T2GB G2 G4 G6N NB EU EV EWFeatures / A
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor