MIXG180W1200TEH - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MIXG180W1200TEH

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 935 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 280 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MIXG180W1200TEH

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MIXG180W1200TEH даташит

 0.1. Size:385K  ixys
 mixg180w1200teh.pdf pdf_icon

MIXG180W1200TEH

MIXG180W1200TEH tentative VCES = 1200 V X2PT IGBT Module IC25 = 280 A VCE(sat) = 1.7 V 6-Pack + NTC Part number MIXG180W1200TEH 28, 29, 30 54, 55, 56 E72873 T1 T3 T5 D1 D3 D5 1 9 17 31 2 10 18 48 42 36 49 43 37 NTC 50 44 38 D2 D4 D6 T2 T4 T6 32 5 13 21 6 14 22 59, 60, 61 23, 24, 25 Features / Advantages Applications Package E3-Pack X2PT - 2nd generation Xtre

 9.1. Size:382K  ixys
 mixg120w1200teh.pdf pdf_icon

MIXG180W1200TEH

MIXG120W1200TEH tentative VCES = 1200 V X2PT IGBT Module IC25 = 186 A VCE(sat) = 1.7 V 6-Pack + NTC Part number MIXG120W1200TEH 28, 29, 30 54, 55, 56 E72873 T1 T3 T5 D1 D3 D5 1 9 17 31 2 10 18 48 42 36 49 43 37 NTC 50 44 38 D2 D4 D6 T2 T4 T6 32 5 13 21 6 14 22 59, 60, 61 23, 24, 25 Features / Advantages Applications Package E3-Pack X2PT - 2nd generation Xtre

Другие IGBT... MIXA60HU1200VA, MIXA60WH1200TEH, MIXA81WB1200TEH, MIXD200W650TEH, MIXD50W650TED, MIXD600PF650TSF, MIXD80PM650TMI, MIXG120W1200TEH, FGH60N60SFD, MIXG240W1200TEH, MP6750, MP6752, MP6753, MP6757, MSAGA11F120D, MUBW30-12A6, NXH80T120L2Q0