MIXG180W1200TEH - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MIXG180W1200TEH
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 935
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 280
Максимальная температура перехода (Tj): 175
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MIXG180W1200TEH
MIXG180W1200TEH Datasheet (PDF)
0.1. mixg180w1200teh.pdf Size:385K _ixys
MIXG180W1200TEHtentativeVCES = 1200 VX2PT IGBT ModuleIC25 = 280 AVCE(sat) = 1.7 V6-Pack + NTCPart numberMIXG180W1200TEH28, 29, 3054, 55, 56E72873T1 T3 T5D1 D3 D519 1731210 1848 42 3649 43 37NTC50 44 38D2 D4 D6T2 T4 T6325 13 216 14 2259, 60, 61 23, 24, 25Features / Advantages: Applications: Package: E3-Pack X2PT - 2nd generation Xtre
9.1. mixg120w1200teh.pdf Size:382K _ixys
MIXG120W1200TEHtentativeVCES = 1200 VX2PT IGBT ModuleIC25 = 186 AVCE(sat) = 1.7 V6-Pack + NTCPart numberMIXG120W1200TEH28, 29, 3054, 55, 56E72873T1 T3 T5D1 D3 D519 1731210 1848 42 3649 43 37NTC50 44 38D2 D4 D6T2 T4 T6325 13 216 14 2259, 60, 61 23, 24, 25Features / Advantages: Applications: Package: E3-Pack X2PT - 2nd generation Xtre
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 40N60C3R , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: DGW75N65CTL1 | DGW60N65BTH | DGW50N65CTL1 | DGW50N65CTH | DGW50N65BTH | DGW40N65CTL | DGW40N65CTH | DGW40N65BTH | DGW40N120CTL | DGW40N120CTH0 | DGW40N120CTH