Справочник IGBT. MIXG180W1200TEH

 

MIXG180W1200TEH - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MIXG180W1200TEH

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 935

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 280

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.7

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 60

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 520

Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для MIXG180W1200TEH

 

 

MIXG180W1200TEH Datasheet (PDF)

 0.1. Size:385K  ixys
mixg180w1200teh.pdf

MIXG180W1200TEH MIXG180W1200TEH

MIXG180W1200TEHtentativeVCES = 1200 VX2PT IGBT ModuleIC25 = 280 AVCE(sat) = 1.7 V6-Pack + NTCPart numberMIXG180W1200TEH28, 29, 3054, 55, 56E72873T1 T3 T5D1 D3 D519 1731210 1848 42 3649 43 37NTC50 44 38D2 D4 D6T2 T4 T6325 13 216 14 2259, 60, 61 23, 24, 25Features / Advantages: Applications: Package: E3-Pack X2PT - 2nd generation Xtre

 9.1. Size:382K  ixys
mixg120w1200teh.pdf

MIXG180W1200TEH MIXG180W1200TEH

MIXG120W1200TEHtentativeVCES = 1200 VX2PT IGBT ModuleIC25 = 186 AVCE(sat) = 1.7 V6-Pack + NTCPart numberMIXG120W1200TEH28, 29, 3054, 55, 56E72873T1 T3 T5D1 D3 D519 1731210 1848 42 3649 43 37NTC50 44 38D2 D4 D6T2 T4 T6325 13 216 14 2259, 60, 61 23, 24, 25Features / Advantages: Applications: Package: E3-Pack X2PT - 2nd generation Xtre

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , TGAN20N135FD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top