MP6753 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MP6753
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
Тип корпуса: MODULE
MP6753 Datasheet (PDF)
mp6753.pdf
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
mp6750.pdf
MP6750 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MP6750 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications The electrodes are isolated from case. 6 IGBTs are built into 1 package. Enhancement-mode Low saturation voltage : VCE (sat) = 4.0V (Max) (IC = 15A) High speed : t = 0.35s (Max) (I = 15A) f C t = 0.15s (Max) (I = 15A) rr F JEDE
mp6752.pdf
MP6752 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MP6752 High Power Switching Applications Unit in mmMotor Control Applications The electrodes are isolated from case. 6 IGBTs are built into 1 package. Enhancement-mode Low saturation voltage : VCE(sat) = 4.0V (max.) (IC = 20A) High speed: t = 0.35s (max.) (I = 20A) f Ct = 0.15s (max.) (I = 20A) r
Другие IGBT... MIXD50W650TED , MIXD600PF650TSF , MIXD80PM650TMI , MIXG120W1200TEH , MIXG180W1200TEH , MIXG240W1200TEH , MP6750 , MP6752 , MBQ50T65FDSC , MP6757 , MSAGA11F120D , MUBW30-12A6 , NXH80T120L2Q0 , NXH80T120L2Q0PG , PDMB200E6 , PM100CBS060 , PM15CMA060 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2