Справочник IGBT. IRG4RC10KD

 

IRG4RC10KD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG4RC10KD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.39 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 29 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 19 nC
   Тип корпуса: D-PAK

 Аналог (замена) для IRG4RC10KD

 

 

IRG4RC10KD Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG4PH50UD , IRG4PSC71K , IRG4PSC71KD , IRG4PSC71U , IRG4PSC71UD , IRG4PSH71K , IRG4PSH71KD , IRG4RC10K , NGD8201N , IRG4RC10S , IRG4RC10SD , IRG4RC10U , IRG4RC10UD , IRG4ZC70UD , IRG4ZC71KD , IRG4ZH50KD , IRG4ZH70UD .