Справочник IGBT. MGD622

 

MGD622 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MGD622

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 90

Емкость коллектора (Cc), pf: 80

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для MGD622

 

 

MGD622 Datasheet (PDF)

0.1. mgd622.pdf Size:458K _1

MGD622
MGD622

600 V, 20 A, IGBT with Fast Recovery Diode MGD622 Features Package Low Saturation Voltage TO3P-3L High Speed Switching With Integrated Low VF Fast Recovery Diode (4) RoHS Compliant C VCE ------------------------------------------------------ 600 V IC-------------------------------------------20 A (TC = 100 C) VCE(sat)--------------------------

9.1. mgd623n.pdf Size:231K _sanken-ele

MGD622
MGD622

IGBT MGD623N July, 2009 Features Package----TO-3P Low Saturation Voltage VCE(sat)=1.7V typ. High Speed tf=200ns typ. Low VF FRD Included VF=1.2V typ. Applications Current Resonance Inverter Switching Induction Heating Cooking Equivalent circuit C (2) G (1) E (3) Absolute maximum ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol Rating Unit

9.2. mgd623s.pdf Size:228K _sanken-ele

MGD622
MGD622

IGBT MGD623S July, 2009 Features Package----TO-3P Low Saturation Voltage VCE(sat)=1.8V typ. High Speed tf=120ns typ. Low VF FRD Included VF=1.2V typ. Applications Current Resonance Inverter Switching Induction Heating Cooking Equivalent circuit C (2) G (1) E (3) Absolute maximum ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol Rating Unit

Другие IGBT... IXBT15N170 , FGH40T65SHDF_F155 , FGPF30N45TTU , IGF40T120F , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , BT60N60ANF , GT50N324 , IRGBC20S , FGA40N65SMD , FGL40N120AND , , , , , , .

 

 
Back to Top