MM120G3T65BM - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MM120G3T65BM

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 750

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 650

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Время нарастания: 60

Тип корпуса: TO247PLUS

Аналог (замена) для MM120G3T65BM

MM120G3T65BM Datasheet (PDF)

0.1. mm120g3t65bm.pdf Size:337K _macmic

MM120G3T65BM650V 120A IGBTJune 2020 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES 650V IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery123APPLICATIONS Motor control1.Gate UPS/PFC2.Collector3.Emitter

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 1MBH50D-060 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .