Справочник IGBT. MM15G3T120B

 

MM15G3T120B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MM15G3T120B
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 26 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 105 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для MM15G3T120B

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MM15G3T120B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  macmic
 mm15g3t120b.pdf pdf_icon

MM15G3T120B

MM15G3T120B1200V 15A IGBTNovember 2019 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery123APPLICATIONS High frequency switching application1.Gate Medical ap

Другие IGBT... 2PG011 , BT60N60ANF , GT50N324 , MGD622 , FGA40N65SMD , FGL40N120AND , MM10G3T120B , MM120G3T65BM , IKW40T120 , MM20G3R135B , MM20G3T135B , MM25G3T120B , MM25G3U120BX , MM40G3T120B , MM40G3U120B , MM40G3U120BX , MM40G3U65B .

 

 
Back to Top

 


 
.