MM20G3R135B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MM20G3R135B
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1350 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 195 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MM20G3R135B
MM20G3R135B Datasheet (PDF)
mm20g3r135b.pdf
MM20G3R135B1350V 20A RC- IGBTMarch 2018 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES 1350V Reverse conducting IGBT with monolithic body diode VCE(sat) with positive temperature coefficient Low switching losses Low EMI123APPLICATIONS HInductive cooking1.Gate Inverterized microwave ovens2.Collector3.Emitter Resonant converters Soft switchi
mm20g3t135b.pdf
MM20G3T135B1350V 20A IGBTApril 2020 Version 02 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES 1350V IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery123APPLICATIONS Induction Heating1.Gate Soft Switching Application
Другие IGBT... BT60N60ANF , GT50N324 , MGD622 , FGA40N65SMD , FGL40N120AND , MM10G3T120B , MM120G3T65BM , MM15G3T120B , IRG4PC50U , MM20G3T135B , MM25G3T120B , MM25G3U120BX , MM40G3T120B , MM40G3U120B , MM40G3U120BX , MM40G3U65B , MM40G3U65BN .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2