MM20G3R135B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MM20G3R135B  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1350 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MM20G3R135B

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MM20G3R135B даташит

 ..1. Size:511K  macmic
 mm20g3r135b.pdf pdf_icon

MM20G3R135B

MM20G3R135B 1350V 20A RC- IGBT March 2018 Preliminary RoHS Compliant PRODUCT FEATURES 1350V Reverse conducting IGBT with monolithic body diode VCE(sat) with positive temperature coefficient Low switching losses Low EMI 1 2 3 APPLICATIONS HInductive cooking 1.Gate Inverterized microwave ovens 2.Collector 3.Emitter Resonant converters Soft switchi

 8.1. Size:342K  macmic
 mm20g3t135b.pdf pdf_icon

MM20G3R135B

MM20G3T135B 1350V 20A IGBT April 2020 Version 02 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES 1350V IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery 1 2 3 APPLICATIONS Induction Heating 1.Gate Soft Switching Application

Другие IGBT... BT60N60ANF, GT50N324, MGD622, FGA40N65SMD, FGL40N120AND, MM10G3T120B, MM120G3T65BM, MM15G3T120B, IHW40T60, MM20G3T135B, MM25G3T120B, MM25G3U120BX, MM40G3T120B, MM40G3U120B, MM40G3U120BX, MM40G3U65B, MM40G3U65BN