Справочник IGBT. MM20G3R135B

 

MM20G3R135B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MM20G3R135B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1350 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MM20G3R135B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  macmic
 mm20g3r135b.pdf pdf_icon

MM20G3R135B

MM20G3R135B1350V 20A RC- IGBTMarch 2018 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES 1350V Reverse conducting IGBT with monolithic body diode VCE(sat) with positive temperature coefficient Low switching losses Low EMI123APPLICATIONS HInductive cooking1.Gate Inverterized microwave ovens2.Collector3.Emitter Resonant converters Soft switchi

 8.1. Size:342K  macmic
 mm20g3t135b.pdf pdf_icon

MM20G3R135B

MM20G3T135B1350V 20A IGBTApril 2020 Version 02 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES 1350V IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery123APPLICATIONS Induction Heating1.Gate Soft Switching Application

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: SGM50PA12A6BTFD | AUIRGS4062D1 | IXGP12N100

 

 
Back to Top

 


 
.