MMG600WB170B6E4N - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: MMG600WB170B6E4N
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3750 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 960 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MMG600WB170B6E4N
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MMG600WB170B6E4N даташит
mmg600wb170b6en.pdf
MMG600WB170B6EN 1700V 600A IGBT Module September 2015 Version 0 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES IGBT3 CHIP(1700V Trench+Field Stop technology) Low turn-off losses, short tail current VCE(sat) with positive temperature coefficient DIODE CHIP(1700V EMCON 3 technology) Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Temperature sense included APPLICATIONS
mmg600wb170b6e4n.pdf
MMG600WB170B6E4N 1700V 600A IGBT Module March 2020 Version 01 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES IGBT4 CHIP(1700V Trench+Field Stop technology) Low turn-off losses, short tail current VCE(sat) with positive temperature coefficient DIODE CHIP(1700V EMCON 3 technology) Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Temperature sense included APPLICATIONS
mmg600wb170b.pdf
MMG600WB170B 1700V 600A IGBT Module February 2016 Version 01 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES High short circuit capability,self limiting short circuit current IGBT CHIP(Highly rugged SPT+ design) VCE(sat) with positive temperature coefficient Ultra Low Loss,High Ruggedness Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Temperature sense included APPLI
Другие IGBT... MMG600WB060DAK6EN, MMG600WB065B6EN, MMG600WB065B6TC, MMG600WB065TLA6EN, MMG600WB065TLB6EN, MMG600WB120B6E4N, MMG600WB120B6TC, MMG600WB170B, RJP30H1DPD, MMG600WB170B6EN, MMG600WE120B6E4N, MMG75H060XB6EN, MMG75H120X6TC, MMG75HB060B6EN, MMG75J120U6TC, MMG75J120U6TN, MMG75J120UZ6TC
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent



