IXDH30N120AU1 - аналоги и описание IGBT

 

IXDH30N120AU1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXDH30N120AU1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXDH30N120AU1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXDH30N120AU1 даташит

 ..1. Size:54K  ixys
 ixdh30n120au1 ixdt30n120au1.pdf pdf_icon

IXDH30N120AU1

High Voltage IGBT IXDH 30N120AU1 VCES = 1200 V IXDT 30N120AU1 IC25 = 50 A with Diode VCE(sat) typ = 2.5 V Short Circuit SOA Capability Preliminary Data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXDH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V C (TAB) G VGES Continuous 20 V C E VGEM Transient 30 V TO-268 AA (IXDT) IC25 TC = 25 C5

 4.1. Size:83K  ixys
 ixdh30n120.pdf pdf_icon

IXDH30N120AU1

IXDH 30N120 IXDH 30N120 D1 VCES = 1200 V High Voltage IGBT IC25 = 60 A with optional Diode VCE(sat) typ = 2.4 V Short Circuit SOA Capability C C Square RBSOA TO-247 AD (IXDH) G G G C C (TAB) E E E IXDH 30N120 IXDH 30N120 D1 G = Gate, E = Emitter C = Collector , TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features NPT IGBT technology VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V

 4.2. Size:83K  ixys
 ixdh30n120d1.pdf pdf_icon

IXDH30N120AU1

IXDH 30N120 IXDH 30N120 D1 VCES = 1200 V High Voltage IGBT IC25 = 60 A with optional Diode VCE(sat) typ = 2.4 V Short Circuit SOA Capability C C Square RBSOA TO-247 AD (IXDH) G G G C C (TAB) E E E IXDH 30N120 IXDH 30N120 D1 G = Gate, E = Emitter C = Collector , TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features NPT IGBT technology VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V

 4.3. Size:86K  ixys
 ixdh30n120 ixdt30n120 ixdh30n120d1 ixdt30n120d1.pdf pdf_icon

IXDH30N120AU1

IXDH 30N120 VCES = 1200 V High Voltage IGBT IXDH 30N120 D1 IC25 = 60 A with optional Diode IXDT 30N120 VCE(sat) typ = 2.4 V IXDT 30N120 D1 Short Circuit SOA Capability C C Square RBSOA TO-247 AD (IXDH) G G E E G C C (TAB) IXDH 30N120 IXDH 30N120 D1 E IXDT 30N120 IXDT 30N120 D1 TO--268 AA (IXDT) Symbol Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V E C (T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGBC30S , IRGBC40S , IRGS14B40L , IRGS14C40L , IXDA20N120AS , IXDH20N120 , IXDH20N120D1 , IXDH30N120 , IRG4PC50W , IXDH30N120D1 , IXDN50N120AU1 , IXDN55N120 , IXDN55N120D1 , IXDN75N120 , IXDT30N120 , IXDT30N120AU1 , IXDT30N120D1 .

History: IXGA7N60C

 

 

 


 
↑ Back to Top
.