Справочник IGBT. IXDH30N120AU1

 

IXDH30N120AU1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXDH30N120AU1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 250 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: TBD nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXDH30N120AU1

 

 

IXDH30N120AU1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  ixys
 ixdh30n120au1 ixdt30n120au1.pdf

IXDH30N120AU1 IXDH30N120AU1

High Voltage IGBTIXDH 30N120AU1 VCES = 1200 VIXDT 30N120AU1 IC25 = 50 Awith DiodeVCE(sat) typ = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary DataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXDH)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VC (TAB)GVGES Continuous 20 VCEVGEM Transient 30 VTO-268 AA (IXDT)IC25 TC = 25C5

 4.1. Size:83K  ixys
 ixdh30n120.pdf

IXDH30N120AU1 IXDH30N120AU1

IXDH 30N120IXDH 30N120 D1VCES = 1200 VHigh Voltage IGBTIC25 = 60 Awith optional DiodeVCE(sat) typ = 2.4 VShort Circuit SOA CapabilityC CSquare RBSOA TO-247 AD (IXDH)G GGCC (TAB)E EEIXDH 30N120 IXDH 30N120 D1 G = Gate, E = EmitterC = Collector , TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings Features NPT IGBT technologyVCES TJ = 25C to 150C 1200 V

 4.2. Size:83K  ixys
 ixdh30n120d1.pdf

IXDH30N120AU1 IXDH30N120AU1

IXDH 30N120IXDH 30N120 D1VCES = 1200 VHigh Voltage IGBTIC25 = 60 Awith optional DiodeVCE(sat) typ = 2.4 VShort Circuit SOA CapabilityC CSquare RBSOA TO-247 AD (IXDH)G GGCC (TAB)E EEIXDH 30N120 IXDH 30N120 D1 G = Gate, E = EmitterC = Collector , TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings Features NPT IGBT technologyVCES TJ = 25C to 150C 1200 V

 4.3. Size:86K  ixys
 ixdh30n120 ixdt30n120 ixdh30n120d1 ixdt30n120d1.pdf

IXDH30N120AU1 IXDH30N120AU1

IXDH 30N120VCES = 1200 VHigh Voltage IGBTIXDH 30N120 D1IC25 = 60 Awith optional DiodeIXDT 30N120VCE(sat) typ = 2.4 VIXDT 30N120 D1Short Circuit SOA CapabilityC CSquare RBSOATO-247 AD (IXDH)G GE EGCC (TAB)IXDH 30N120 IXDH 30N120 D1EIXDT 30N120 IXDT 30N120 D1TO--268 AA (IXDT)Symbol Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 1200 VEC (T

Другие IGBT... IRGBC30S , IRGBC40S , IRGS14B40L , IRGS14C40L , IXDA20N120AS , IXDH20N120 , IXDH20N120D1 , IXDH30N120 , MBQ50T65FESC , IXDH30N120D1 , IXDN50N120AU1 , IXDN55N120 , IXDN55N120D1 , IXDN75N120 , IXDT30N120 , IXDT30N120AU1 , IXDT30N120D1 .

 

 
Back to Top