JT015N065FED - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: JT015N065FED

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 31

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Тип корпуса: TO220MF

Аналог (замена) для JT015N065FED

JT015N065FED Datasheet (PDF)

 ..1. Size:300K  jilin sino
 jt015n065fed.pdf

N N-CHANNEL IGBT RJT015N065FED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V @Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,

Другие IGBT... MMGT50W120X6C , MMGT50W120XB6C , MMGT75H120X6C , MMGT75W120X6C , MMGT75W120XB6C , MMGT75WD120XB6C , MMGTU75J120U , FGA25S125P , GT60N321 , 2M410A , 2M410B , 2M410B1 , 2M410V , 2M410V1 , 2M410G , CI20T120P , IHW15N120E1 .