JT015N065FED - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: JT015N065FED
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 31
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 650
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Тип корпуса: TO220MF
Аналог (замена) для JT015N065FED
JT015N065FED Datasheet (PDF)
..1. jt015n065fed.pdf Size:300K _jilin_sino
N N-CHANNEL IGBT RJT015N065FED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V @Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IRGP4068D , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JT015N065FED | FGA25S125P | MMGTU75J120U | MMGT75WD120XB6C | MMGT75W120XB6C | MMGT75W120X6C | MMGT75H120X6C | MMGT50W120XB6C | MMGT50W120X6C | MMGT50H120X6C | MMGT40H120XB6C