JT015N065FED Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: JT015N065FED
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Тип корпуса: TO220MF
- подбор IGBT транзистора по параметрам
JT015N065FED Datasheet (PDF)
jt015n065fed.pdf

N N-CHANNEL IGBT RJT015N065FED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V @Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,
jt015n065fed jt015n065sed jt015n065ced.pdf

N N-CHANNEL IGBT RJT015N065FED/SED/CED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 650V VCESAT-TY 1.6V VGE=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge
jt015n120f7pd1e.pdf

IGBT IGBT Modules RIGBT JT015N120F7PD1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15A 1200V V CESVcesat_typ1.8V Vge=15V APPLICATIONS Auxiliary inverter Motor Drives air conditioning FEATURES FS Technology
Другие IGBT... MMGT50W120X6C , MMGT50W120XB6C , MMGT75H120X6C , MMGT75W120X6C , MMGT75W120XB6C , MMGT75WD120XB6C , MMGTU75J120U , FGA25S125P , STGB10NB37LZ , 2M410A , 2M410B , 2M410B1 , 2M410V , 2M410V1 , 2M410G , CI20T120P , IHW15N120E1 .
History: SIGC04T60GSE | OST40N65PMF | GPU75HF120D1 | IRGIB7B60KD | NGTB50N60FWG | SGT20T135QR1PN | MMIX1X100N60B3H1
History: SIGC04T60GSE | OST40N65PMF | GPU75HF120D1 | IRGIB7B60KD | NGTB50N60FWG | SGT20T135QR1PN | MMIX1X100N60B3H1



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent