JT015N065FED datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: JT015N065FED  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

Тип корпуса: TO220MF

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для JT015N065FED

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JT015N065FED даташит

 ..1. Size:300K  jilin sino
 jt015n065fed.pdf pdf_icon

JT015N065FED

N N-CHANNEL IGBT R JT015N065FED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15 A VCES 650V Vcesat-typ 1.6V @Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,

 ..2. Size:1254K  jilin sino
 jt015n065fed jt015n065sed jt015n065ced.pdf pdf_icon

JT015N065FED

 8.1. Size:1240K  jilin sino
 jt015n120f7pd1e.pdf pdf_icon

JT015N065FED

IGBT IGBT Modules R IGBT JT015N120F7PD1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 15A 1200V V CES Vcesat_typ 1.8V Vge=15V APPLICATIONS Auxiliary inverter Motor Drives air conditioning FEATURES FS Technology

Другие IGBT... MMGT50W120X6C, MMGT50W120XB6C, MMGT75H120X6C, MMGT75W120X6C, MMGT75W120XB6C, MMGT75WD120XB6C, MMGTU75J120U, FGA25S125P, YGW40N65F1A1, 2M410A, 2M410B, 2M410B1, 2M410V, 2M410V1, 2M410G, CI20T120P, IHW15N120E1