Справочник IGBT. GPU150HF120D2

 

GPU150HF120D2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GPU150HF120D2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 735 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 92 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1800 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1300 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для GPU150HF120D2

 

 

GPU150HF120D2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  cn hmsemi
 gpu150hf120d2.pdf

GPU150HF120D2 GPU150HF120D2

GPU150HF120D2IGBT Module 1200V/150A 2 in one-package Features 1200V150A,V =3.2V@150A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 62mm half bridge module General Description Daxins IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive- heating, UPS and other high frequency applications. Absolut

Другие IGBT... NCE80TD65BT , SGT60T65FD1PN , SGT60T65FD1P7 , SGT60T65FD1PS , SGT60T65FD1PT , GPK100HF120D1 , GPK200HF120D2 , GPU100HF120D1 , IHW20N120R2 , GPU200HF120D2 , GPU50HF120D1 , GPU75HF120D1 , HM15N120A , HM20N120AB , HM20N120T , HM20N120TB , HM25N120T .

 

 
Back to Top