Справочник IGBT. HMG15N60

 

HMG15N60 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HMG15N60
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 105
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 18
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 61
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 75
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HMG15N60

 

 

HMG15N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2018K  cn hmsemi
 hmg15n60 hmg15n60d hmg15n60f.pdf

HMG15N60 HMG15N60

HMG15N60D/HMG15N60/HMG15N60F600V, 15A, Trench FS II IGBTGeneral Description:Using 's proprietary trench design and advanced FS (field stop)second generation technology, the 600V Trench FS II IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation;FeaturesTrench FSII Technology offering Very low VCEsat High speed switching

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top