HMG15N60D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: HMG15N60D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 61 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для HMG15N60D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HMG15N60D даташит

 ..1. Size:2018K  cn hmsemi
 hmg15n60 hmg15n60d hmg15n60f.pdf pdf_icon

HMG15N60D

Другие IGBT... GPU50HF120D1, GPU75HF120D1, HM15N120A, HM20N120AB, HM20N120T, HM20N120TB, HM25N120T, HMG15N60, FGPF4533, HMG15N60F, HMG20N60A, HMG20N65F, HMG40N60A, HMG40N60T, HMG40N65T, HMG60N60A, HMG60N60T