Справочник IGBT. HMG15N60D

 

HMG15N60D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HMG15N60D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 105
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 18
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 61
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для HMG15N60D

 

 

HMG15N60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2018K  cn hmsemi
 hmg15n60 hmg15n60d hmg15n60f.pdf

HMG15N60D HMG15N60D

HMG15N60D/HMG15N60/HMG15N60F600V, 15A, Trench FS II IGBTGeneral Description:Using 's proprietary trench design and advanced FS (field stop)second generation technology, the 600V Trench FS II IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation;FeaturesTrench FSII Technology offering Very low VCEsat High speed switching

Другие IGBT... GPU50HF120D1 , GPU75HF120D1 , HM15N120A , HM20N120AB , HM20N120T , HM20N120TB , HM25N120T , HMG15N60 , DG40F12T2 , HMG15N60F , HMG20N60A , HMG20N65F , HMG40N60A , HMG40N60T , HMG40N65T , HMG60N60A , HMG60N60T .

 

 
Back to Top