Справочник IGBT. HMG15N60D

 

HMG15N60D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HMG15N60D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 61 pF
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HMG15N60D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HMG15N60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2018K  cn hmsemi
 hmg15n60 hmg15n60d hmg15n60f.pdf pdf_icon

HMG15N60D

HMG15N60D/HMG15N60/HMG15N60F600V, 15A, Trench FS II IGBTGeneral Description:Using 's proprietary trench design and advanced FS (field stop)second generation technology, the 600V Trench FS II IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation;FeaturesTrench FSII Technology offering Very low VCEsat High speed switching

Другие IGBT... GPU50HF120D1 , GPU75HF120D1 , HM15N120A , HM20N120AB , HM20N120T , HM20N120TB , HM25N120T , HMG15N60 , BT15T120ANF , HMG15N60F , HMG20N60A , HMG20N65F , HMG40N60A , HMG40N60T , HMG40N65T , HMG60N60A , HMG60N60T .

 

 
Back to Top

 


 
.