Справочник IGBT. HMG15N60F

 

HMG15N60F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HMG15N60F
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 61 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 75 nC
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для HMG15N60F

 

 

HMG15N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2018K  cn hmsemi
 hmg15n60 hmg15n60d hmg15n60f.pdf

HMG15N60F HMG15N60F

HMG15N60D/HMG15N60/HMG15N60F600V, 15A, Trench FS II IGBTGeneral Description:Using 's proprietary trench design and advanced FS (field stop)second generation technology, the 600V Trench FS II IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation;FeaturesTrench FSII Technology offering Very low VCEsat High speed switching

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top