HMG20N65F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: HMG20N65F

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 37

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 650

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.7

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 27

Емкость коллектора (Cc), pf: 130

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для HMG20N65F

HMG20N65F Datasheet (PDF)

..1. hmg20n65f.pdf Size:1097K _cn_hmsemi

HMG20N65F IGBT Features 650V 20A,V = 1.70 V@20A CE(sat)(typ.) Field Stop IGBT Technology. 10s Short Circuit Capability. Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits High Efficiency for Motor Control. Rugged Performance. Excellent Current Sharing in Parallel Operation Absolute Maxinmun Ratings Symbol Parameter Val

7.1. hmg20n60a.pdf Size:627K _cn_hmsemi

HMG20N60A20A600V C 2HMG20N60A Field 1GStop UPS,SMPS PFC 3E 20A600VVCE(sat)( )=2.0V@IC=20A

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 40N60C3R , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .