HMG20N65F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HMG20N65F

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 79 nC

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для HMG20N65F

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HMG20N65F даташит

 ..1. Size:1097K  cn hmsemi
 hmg20n65f.pdf pdf_icon

HMG20N65F

HMG20N65F IGBT Features 650V 20A,V = 1.70 V@20A CE(sat)(typ.) Field Stop IGBT Technology. 10 s Short Circuit Capability. Square RBSOA. Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits High Efficiency for Motor Control. Rugged Performance. Excellent Current Sharing in Parallel Operation Absolute Maxinmun Ratings Symbol Parameter Val

 7.1. Size:627K  cn hmsemi
 hmg20n60a.pdf pdf_icon

HMG20N65F

Другие IGBT... HM20N120AB, HM20N120T, HM20N120TB, HM25N120T, HMG15N60, HMG15N60D, HMG15N60F, HMG20N60A, FGH40N60UFD, HMG40N60A, HMG40N60T, HMG40N65T, HMG60N60A, HMG60N60T, KDG25R12KE3, KDG40R12KT3, CRG60T60AN3H