Справочник IGBT. AOTF15B65M1

 

AOTF15B65M1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOTF15B65M1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.1(typ) V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 96 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 32 nC
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AOTF15B65M1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOTF15B65M1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  aosemi
 aotf15b65m1.pdf pdf_icon

AOTF15B65M1

AOTF15B65M1TM 650V, 15A AlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT(IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 15AC) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.7VC) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficien

 4.1. Size:572K  aosemi
 aotf15b65m3.pdf pdf_icon

AOTF15B65M1

AOTF15B65M3TM 650V, 15A AlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT(IGBT) technology 650V 650V Breakdown voltageIC (TC=100 15AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 1.95VC) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficienci

 4.2. Size:587K  aosemi
 aotf15b65mq1.pdf pdf_icon

AOTF15B65M1

AOTF15B65MQ1TM 650V, 15A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT (IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 15AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 1.7VC) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficienc

 4.3. Size:1205K  aosemi
 aotf15b65m2.pdf pdf_icon

AOTF15B65M1

AOTF15B65M2TM650V, 15A AlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT(IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 15AC) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.7VC) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficienc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FGPF70N33BT , MBQ40T65QES , SSG55N60M , SSG55N60Z , SSG55N60N , SSG55N60P , YGW40N65F1 , AOD5B65M1 , BT40T60ANF , CRG15T120BNR3S , GPU200HF120D2SE , RCF1565SL1 , RCP1565SL1 , RCB1565SL1 , RCD1565SL1 , KGF65A6H , MGF65A6H .

 

 
Back to Top

 


 
.