RCP1565SL1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: RCP1565SL1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 250
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 35
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 50
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 61
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для RCP1565SL1
RCP1565SL1 Datasheet (PDF)
..1. Size:841K cn realchip
rcf1565sl1 rcp1565sl1 rcb1565sl1 rcd1565sl1.pdf
rcf1565sl1 rcp1565sl1 rcb1565sl1 rcd1565sl1.pdf
IGBT RCF(P/B/D)1565SL1RCF1565SL1RCP1565SL1RCB1565SL1RCD1565SL1 15A650V IGBT UPSPFC: 15A 650V , V =1.8V @I =15A CE(sat) C :
Другие IGBT... SSG55N60N , SSG55N60P , YGW40N65F1 , AOD5B65M1 , AOTF15B65M1 , CRG15T120BNR3S , GPU200HF120D2SE , RCF1565SL1 , FGA60N65SMD , RCB1565SL1 , RCD1565SL1 , KGF65A6H , MGF65A6H , RJH65T14DPQ-A0 , GT30J122A , GT60M324 , DG25X12T2 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ