Справочник IGBT. RCP1565SL1

 

RCP1565SL1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: RCP1565SL1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF
   Тип корпуса: TO220
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

RCP1565SL1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:841K  cn realchip
rcf1565sl1 rcp1565sl1 rcb1565sl1 rcd1565sl1.pdfpdf_icon

RCP1565SL1

IGBT RCF(P/B/D)1565SL1RCF1565SL1RCP1565SL1RCB1565SL1RCD1565SL1 15A650V IGBT UPSPFC: 15A 650V , V =1.8V @I =15A CE(sat) C :

Другие IGBT... SSG55N60N , SSG55N60P , YGW40N65F1 , AOD5B65M1 , AOTF15B65M1 , CRG15T120BNR3S , GPU200HF120D2SE , RCF1565SL1 , FGH60N60SFD , RCB1565SL1 , RCD1565SL1 , KGF65A6H , MGF65A6H , RJH65T14DPQ-A0 , GT30J122A , GT60M324 , DG25X12T2 .

History: GT10J303 | APT43GA90BD30 | IXGX64N60B3D1 | TA49117 | RCF1565SL1 | APT44GA60S | FGW30N60VD

 

 
Back to Top

 


 
.