KGF65A6H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: KGF65A6H  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 405 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 330 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для KGF65A6H

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

KGF65A6H даташит

 ..1. Size:637K  sanken-ele
 kgf65a6h mgf65a6h.pdf pdf_icon

KGF65A6H

VCE = 650 V, IC = 60 A Trench Field Stop IGBTs with Fast Recovery Diode KGF65A6H, MGF65A6H Data Sheet Description Packages The KGF65A6H and MGF65A6H are 650 V Field TO247-3L TO3P-3L Stop IGBTs. Sanken original trench structure decreases (4) (4) gate capacitance, and achieves high speed switching and switching loss reduction. Thus, these Field Stop IGBTs can improve the effic

Другие IGBT... AOD5B65M1, AOTF15B65M1, CRG15T120BNR3S, GPU200HF120D2SE, RCF1565SL1, RCP1565SL1, RCB1565SL1, RCD1565SL1, FGH60N60SFD, MGF65A6H, RJH65T14DPQ-A0, GT30J122A, GT60M324, DG25X12T2, DG40X12T2, GD100HFX65C1S, GD75HFF120C1S