Справочник IGBT. GT30J122A

 

GT30J122A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT30J122A
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: 30J122A
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 120
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.7
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 9
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 200
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для GT30J122A

 

 

GT30J122A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  toshiba
 gt30j122a.pdf

GT30J122A GT30J122A

GT30J122ADiscrete IGBTs Silicon N-Channel IGBTGT30J122AGT30J122AGT30J122AGT30J122A1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Dedicated to Current-Resonant Inverter Switching Applications Dedicated to Partial-Switching Power Factor Correction (PFC) ApplicationsNote: The product(s) described herein should not be used for any other application.2. F

 6.1. Size:321K  toshiba
 gt30j122.pdf

GT30J122A GT30J122A

GT30J122 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT30J122 4TH GENERATION IGBT Unit: mmCURRENT RESONANCE INVERTER SWITCHING APPLICATIONS Enhancement mode type High speed: tf = 0.25s (Typ.) (IC = 50A) Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.1V (Typ.) (IC = 50A) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitColl

 7.1. Size:182K  toshiba
 gt30j121.pdf

GT30J122A GT30J122A

GT30J121 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT30J121 High Power Switching Applications Unit: mmFast Switching Applications Fourth-generation IGBT Enhancement mode type Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference) High speed: tf = 0.05 s (typ.) Low switching loss : Eon = 1.00 mJ (typ.) : Eoff = 0.80 mJ (typ

 7.2. Size:187K  toshiba
 gt30j126.pdf

GT30J122A GT30J122A

GT30J126 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT30J126 High Power Switching Applications Unit: mmFast Switching Applications Fourth-generation IGBT Enhancement mode type Fast switching (FS): High speed: tf = 0.05 s (typ.) Low switching loss : Eon = 1.00 mJ (typ.) : Eoff = 0.80 mJ (typ.) Low saturation voltage: VCE (sat) =

Другие IGBT... GPU200HF120D2SE , RCF1565SL1 , RCP1565SL1 , RCB1565SL1 , RCD1565SL1 , KGF65A6H , MGF65A6H , RJH65T14DPQ-A0 , RJH30E2DPP , GT60M324 , DG25X12T2 , DG40X12T2 , GD100HFX65C1S , GD75HFF120C1S , SL40T65FL , BG75B12UX3-I , BG100B12UX3-I .

 

 
Back to Top