GD100HFX65C1S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: GD100HFX65C1S
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 319
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 127
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.45
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.4
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 16
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 690
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для GD100HFX65C1S
GD100HFX65C1S Datasheet (PDF)
gd100hfx65c1s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GD100HFX65C1S IGBT Module STARPOWER SEMICONDUCTOR IGBT GD100HFX65C1S 650V/100A 2 in one-package General Description STARPOWER IGBT Power Module provides ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology 6s short circuit capability
hgd100n12sl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HGD100N12SL P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power Switching,Logic level7.8RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability8.6RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness102 AID (Sillicon Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested70 AID (Package Limited) Lead FreeApplication Synchronous Rectification in
hgd100n12s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HGD100N12S P-1120V N-Ch Power MOSFETFeature120 VVDS High Speed Power SwitchingTO-252 8.6RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability102 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness70 AID (Package Limited) 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed C
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
![GD100HFX65C1S](https://alltransistors.com/images/us.png)
![GD100HFX65C1S](https://alltransistors.com/images/es.png)
![GD100HFX65C1S](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ