MPFF100R12RB - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: MPFF100R12RB
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 59 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MPFF100R12RB
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MPFF100R12RB даташит
Другие IGBT... BG75B12UX3-I , BG100B12UX3-I , BG150B12LY2-I , BG150B12UY3-I , BG200B12UY3-I , MPBW25N120B , MPBW40N60BF , MPBW40N65BH , FGPF4633 , MPFF50R12RB , MPFF75R12RB , RGPR20NS43 , RGS80TSX2DHR , RGT50NL65D , RGT50NS65D , RGT80TS65DGC13 , RGTH60TS65DGC13 .
History: IXXH75N60C3 | STGD10HF60KD
History: IXXH75N60C3 | STGD10HF60KD
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet