BT15T120CNR Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BT15T120CNR
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 35 pF
Тип корпуса: TO3P
- подбор IGBT транзистора по параметрам
BT15T120CNR Datasheet (PDF)
bt15t120cnr.pdf

Silicon FS Trench IGBT RBT15T120 CNR General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design, advanced FS(field stop) IC 15 A technology and integrated with Free Wheeling Diode, the 1200V Trench FS Ptot (TC=25) 156 W IGBT offers superior conduction and switching performances, high VCE(SAT) 1.95 V avalanche ruggedness.Features Trench FS T
bt15t120anf.pdf

Silicon FS Planar IGBT R BT15T120ANF General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 15 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot TC=25 186 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 1.95 V Features Trench FS Technology, Positive temperature coe
bt15t120anf.pdf

Silicon FS Planar IGBT R BT15T120ANF General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 15 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot TC=25 186 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 1.95 V Features Trench FS Technology, Positive temperature coe
bt15t60a8f bt15t60a9f.pdf

R BT15T60A8F, BT15T60A9F VCES 600 V BT15T60A8F BT15T60A9F IC 15 A RoHS VCE(sat) 1.7 V TO-220AB
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: NGD15N41A | IGB20N65S5 | APT40GP90B2DF2 | DM2G75SH6N | NCE40ED75VT | JNG20T60PS | CM150DU-12F
History: NGD15N41A | IGB20N65S5 | APT40GP90B2DF2 | DM2G75SH6N | NCE40ED75VT | JNG20T60PS | CM150DU-12F



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent