BT15T60A8F - аналоги и описание IGBT

 

BT15T60A8F - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: BT15T60A8F

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для BT15T60A8F

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BT15T60A8F даташит

 ..1. Size:600K  wuxi china
 bt15t60a8f bt15t60a9f.pdf pdf_icon

BT15T60A8F

 9.1. Size:557K  crhj
 bt15t120anf.pdf pdf_icon

BT15T60A8F

Silicon FS Planar IGBT R BT15T120ANF General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 15 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot TC=25 186 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 1.95 V Features Trench FS Technology, Positive temperature coe

 9.2. Size:261K  wuxi china
 bt15t120cnr.pdf pdf_icon

BT15T60A8F

Silicon FS Trench IGBT R BT15T120 CNR General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design, advanced FS(field stop) IC 15 A technology and integrated with Free Wheeling Diode, the 1200V Trench FS Ptot (TC=25 ) 156 W IGBT offers superior conduction and switching performances, high VCE(SAT) 1.95 V avalanche ruggedness. Features Trench FS T

 9.3. Size:557K  wuxi china
 bt15t120anf.pdf pdf_icon

BT15T60A8F

Silicon FS Planar IGBT R BT15T120ANF General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 15 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot TC=25 186 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 1.95 V Features Trench FS Technology, Positive temperature coe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MPFF75R12RB , RGPR20NS43 , RGS80TSX2DHR , RGT50NL65D , RGT50NS65D , RGT80TS65DGC13 , RGTH60TS65DGC13 , BT15T120CNR , SGT60U65FD1PT , BT15T60A9F , BT25T120CKR , BT40T120CKF , BT50T60ANFK , BT60T60ANFK , DGTD120T25S1PT , DGTD120T40S1PT , DGTD65T15H2TF .

History: BT40T120CKF | BT50T60ANFK | MGP15N60U | BT25T120CKR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.