KWRFF50R12SWM - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

KWRFF50R12SWM - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: KWRFF50R12SWM
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 313
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.7
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.1(typ)
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 1130
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 318
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 427
   Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для KWRFF50R12SWM