Справочник IGBT. KWRFF50R12SWM

 

KWRFF50R12SWM - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: KWRFF50R12SWM
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.1(typ) V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 1130 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 318 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 427 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для KWRFF50R12SWM

 

 

KWRFF50R12SWM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1814K  cn junshine
 kwrff50r12swm.pdf

KWRFF50R12SWM KWRFF50R12SWM

KWRFF50R12SWM1200V 50A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.70V (Eoff=4.0mJ)>10usIGBT()T =25j

 9.1. Size:1839K  cn junshine
 kwrff40r12swm.pdf

KWRFF50R12SWM KWRFF50R12SWM

KWRFF40R12SWM1200V 40A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.96V (Eoff=1.28mJ)IGBT()T =25j V 1200-

 9.2. Size:1902K  cn junshine
 kwrff75r12swm.pdf

KWRFF50R12SWM KWRFF50R12SWM

KWRFF75R12SWM1200V 75A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=1.83V (Eoff=4.63mJ)>10usIGBT()T =25j

 9.3. Size:1294K  cn junshine
 kwrff100r12swm.pdf

KWRFF50R12SWM KWRFF50R12SWM

KWRFF100R12SWM1200V 100A IGBT IGBT100% RBSOA2*ICVCE=2.0V (Eoff=6.28mJ)>10usIGBT()T =25j

Другие IGBT... LEGM75BF120L5H , LEGM75TD120E2H , KWBW60N65F4EG , KWFFP10R12NS3 , KWGFP25R12NS3 , KWMFP40R12NS3 , KWRFF100R12SWM , KWRFF40R12SWM , RJP6065DPM , KWRFF75R12SWM , MG100HF12MIC1 , MG100HF12MRC1 , MG100UZ12MRGJ , MG150HF12MIC2 , MG150HF12MRC2 , MG200HF12MIC2 , MG200HF12MRC2 .

 

 
Back to Top