Справочник IGBT. MG75U12MRGJ

 

MG75U12MRGJ - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG75U12MRGJ
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 420
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 70
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 780
   Тип корпуса: SOT227

 Аналог (замена) для MG75U12MRGJ

 

 

MG75U12MRGJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  cn yangzhou yangjie elec
 mg75u12mrgj.pdf

MG75U12MRGJ MG75U12MRGJ

RoHS MG75U12MRGJ COMPLIANT IGBT Modules VRRM 1200V IFAV 75 A Applications Invertor Uninterruptible Power Supply (UPS) Convertor Welder SMPS Convertor Circuit Features Ultra Low Loss Positive Temperature Coefficient High Ruggedness Fully isolated package High Short Circuit Capability Popular SOT-227 Package

Другие IGBT... MG150HF12MIC2 , MG150HF12MRC2 , MG200HF12MIC2 , MG200HF12MRC2 , MG400HF12MIC2 , MG400HF12MRC2 , MG75HF12MIC1 , MG75HF12MRC1 , TGAN40N60FD , MSG100T65HLB3 , MSG100T65HLC1 , MSG120T65HLC1 , MSG15T120FPC , MSG15T120FPE , MSG15T65FL , MSG15T65FLT , MSG15T65FLE .

 

 
Back to Top