Справочник IGBT. MG75U12MRGJ

 

MG75U12MRGJ - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG75U12MRGJ
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 420 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 780 nC
   Тип корпуса: SOT227

 Аналог (замена) для MG75U12MRGJ

 

 

MG75U12MRGJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  cn yangzhou yangjie elec
 mg75u12mrgj.pdf

MG75U12MRGJ MG75U12MRGJ

RoHS MG75U12MRGJ COMPLIANT IGBT Modules VRRM 1200V IFAV 75 A Applications Invertor Uninterruptible Power Supply (UPS) Convertor Welder SMPS Convertor Circuit Features Ultra Low Loss Positive Temperature Coefficient High Ruggedness Fully isolated package High Short Circuit Capability Popular SOT-227 Package

Другие IGBT... MG150HF12MIC2 , MG150HF12MRC2 , MG200HF12MIC2 , MG200HF12MRC2 , MG400HF12MIC2 , MG400HF12MRC2 , MG75HF12MIC1 , MG75HF12MRC1 , IRG4PC40W , MSG100T65HLB3 , MSG100T65HLC1 , MSG120T65HLC1 , MSG15T120FPC , MSG15T120FPE , MSG15T65FL , MSG15T65FLT , MSG15T65FLE .

 

 
Back to Top