MSG100T65HLC1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSG100T65HLC1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 882
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65(max)
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 147
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 430
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 157
Тип корпуса: TO247PLUS
Аналог (замена) для MSG100T65HLC1
MSG100T65HLC1 Datasheet (PDF)
msg100t65hlb3 msg100t65hlc1.pdf
MSG100T65HLB3/C1Features Very Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 1.65V @ IC = 100 A Maximum Junction Temperature: TJ = 175C Positive Temperature Co-Efficient Tight Parameter Distribution High Input ImpedanceApplications Traction Inverter for HEV/EV Auxiliary DC/AC Converter Motor Drives Other Power-Train ApplicationsRequiring High Power Swit
msg100t120fqw.pdf
MSG100T120FQWFeatures High efficiency in hard switchingAnd resonant topologies 10sec short circuit withstandTime at Tvj=175C Low Gate Charge QG Very soft,fast recovery fullCurrent anti-parallel diode Maximum junction temperatureT =175CvjmaxApplications UPS Charger Energy Storage Three-level Solar String InverterAbsolute Ratings(
msg100t100fln msg100t100fqw.pdf
MSG100T100FLN/QWFeature Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V (sat), typ=1.85V@ Ic=CE100A and TC=25 ROHS productApplications UPS Solar inverterMaximum RatingsParameter Symbol Rating UnitCollector-emitter voltage V 1000 VCETc=25 200 A*DC collector current, limited by T Ivjmax CTc=100 100 APulsed collector curr
msg100d350fh msg100d350fhs.pdf
MSG100D350FH/FHSFeatures Low gate charge Trench FS Technology Saturation voltage:Vce(sat),typ=2.0,Ic=100Aand Tc=25 RoHS ProductApplications UPS General purpose invertersAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100
msg100n350fh.pdf
MSG100N350FHFeatures High Speed switching Low Saturation Voltage:VCE(sat) = 2.2V @ IC = 100 A Built-in Fast Recovery diode RoHS ComplaintApplications PDP TVAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector to Emitter Voltage V 330CESVGate to Emitter Voltage V 30GEST =25 100CCollector Current ICT =100 50 ACPulsed Colle
Другие IGBT... MG200HF12MIC2 , MG200HF12MRC2 , MG400HF12MIC2 , MG400HF12MRC2 , MG75HF12MIC1 , MG75HF12MRC1 , MG75U12MRGJ , MSG100T65HLB3 , IRGP4062D , MSG120T65HLC1 , MSG15T120FPC , MSG15T120FPE , MSG15T65FL , MSG15T65FLT , MSG15T65FLE , MSG160T65HLC1 , MSG20T65FQS .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ