MSG20T65FQS - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSG20T65FQS
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 156
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 56
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 128
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 43.9
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для MSG20T65FQS
MSG20T65FQS Datasheet (PDF)
msg20t65fqs msg20t65fqt msg20t65fqe msg20t65fqc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MSG20T65FQS/TMSG20T65FQE/CFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25MSG20T MSG20T65FQT/ MSG20Parameter Symbol Unit65FQS MSG20T65FQE T65FQCCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Col
msg20t65fqs msg20t65fqt msg20t65fqc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MSG20T65FQS/T/CFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25MSG2 MSG2 MSG2Parameter Symbol 0T65F 0T65F 0T65F UnitQS QT QCCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continu
msg20t65fle.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MSG20T65FLE650V Field stop Trench IGBTFeatures High Speed Switching & Low Power Loss High Input Impedance VCE(sat) = 1.6V @ IC = 20A High Input Impedance Short circuit withstand time 10 sApplications PFC UPS InverterAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector-emitter voltage V 650CESVGate-emitter voltage V 30G
msg20t65hpc0 msg20t65hpe0 msg20t65hpt1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MSG20T65HPC0/E0/T1Features Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Typ UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continuousT=10020 ACollector Curren
msg20t120fqc.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MSG20T120FQCN-Channel IGBTFeatures Low Gate charge FS Technology VCE(sat) = 1.7V @ IC = 20A High Input Impedance Short circuit withstand time 10 sApplications PFC UPS InverterAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector-emitter voltage V 1200CESVGate-emitter voltage V 30GEST =25C 40CCollector curre ICT =
Другие IGBT... MSG100T65HLC1 , MSG120T65HLC1 , MSG15T120FPC , MSG15T120FPE , MSG15T65FL , MSG15T65FLT , MSG15T65FLE , MSG160T65HLC1 , RJP63K2DPP-M0 , MSG20T65FQT , MSG20T65FQC , MSG30T65FT , MSG30T65FS , MSG30T65FC , MSG40T65FL , MSG50T120FQW , MSG75T120FQC1 .
![MSG20T65FQS](https://alltransistors.com/images/us.png)
![MSG20T65FQS](https://alltransistors.com/images/es.png)
![MSG20T65FQS](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ