Справочник IGBT. MSG20T65FQS

 

MSG20T65FQS - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MSG20T65FQS
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 56 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 128 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 43.9 nC
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для MSG20T65FQS

 

 

MSG20T65FQS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:8407K  cn maspower
 msg20t65fqs msg20t65fqt msg20t65fqe msg20t65fqc.pdf

MSG20T65FQS MSG20T65FQS

MSG20T65FQS/TMSG20T65FQE/CFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25MSG20T MSG20T65FQT/ MSG20Parameter Symbol Unit65FQS MSG20T65FQE T65FQCCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Col

 ..2. Size:8342K  cn maspower
 msg20t65fqs msg20t65fqt msg20t65fqc.pdf

MSG20T65FQS MSG20T65FQS

MSG20T65FQS/T/CFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25MSG2 MSG2 MSG2Parameter Symbol 0T65F 0T65F 0T65F UnitQS QT QCCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continu

 5.1. Size:2991K  cn maspower
 msg20t65fle.pdf

MSG20T65FQS MSG20T65FQS

MSG20T65FLE650V Field stop Trench IGBTFeatures High Speed Switching & Low Power Loss High Input Impedance VCE(sat) = 1.6V @ IC = 20A High Input Impedance Short circuit withstand time 10 sApplications PFC UPS InverterAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector-emitter voltage V 650CESVGate-emitter voltage V 30G

 6.1. Size:6593K  cn maspower
 msg20t65hpc0 msg20t65hpe0 msg20t65hpt1.pdf

MSG20T65FQS MSG20T65FQS

MSG20T65HPC0/E0/T1Features Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)typ =1.6V,IC=20A and TC =25C RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Typ UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V40 AIc T=25Collector Current-continuousT=10020 ACollector Curren

 8.1. Size:3082K  cn maspower
 msg20t120fqc.pdf

MSG20T65FQS MSG20T65FQS

MSG20T120FQCN-Channel IGBTFeatures Low Gate charge FS Technology VCE(sat) = 1.7V @ IC = 20A High Input Impedance Short circuit withstand time 10 sApplications PFC UPS InverterAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector-emitter voltage V 1200CESVGate-emitter voltage V 30GEST =25C 40CCollector curre ICT =

Другие IGBT... MSG100T65HLC1 , MSG120T65HLC1 , MSG15T120FPC , MSG15T120FPE , MSG15T65FL , MSG15T65FLT , MSG15T65FLE , MSG160T65HLC1 , GT50JR22 , MSG20T65FQT , MSG20T65FQC , MSG30T65FT , MSG30T65FS , MSG30T65FC , MSG40T65FL , MSG50T120FQW , MSG75T120FQC1 .

 

 
Back to Top