MSG30T65FT Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSG30T65FT
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 67 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 64.5 nC
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для MSG30T65FT
MSG30T65FT Datasheet (PDF)
msg30t65ft msg30t65fs.pdf

MSG30T65FT/FSFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.75V,I =30A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V60 AIc T=25*Collector Current-continuousT=10030 ACollector Cur
msg30t65ft msg30t65fs msg30t65fc.pdf

MSG30T65FT/S/CFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.75V,I =30A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V60 AIc T=25*Collector Current-continuousT=10030 ACollector Cu
msg30t65flt.pdf

MSG30T65FLTFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.75V,I =30A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V60 AIc T=25*Collector Current-continuousT=10030 ACollector Curre
msg30t65fhs msg30t65fht.pdf

MSG30T65FHS/TFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.75V,I =30A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V60 AIc T=25*Collector Current-continuousT=10030 ACollector Cur
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024