MSG50T120FQW Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSG50T120FQW
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
Тип корпуса: TO264
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MSG50T120FQW Datasheet (PDF)
msg50t120fqw.pdf

MSG50T120FQWFeatures Extremely Efficient Trench with FieldStop Technology TJmax =175C Soft Fast Reverse Recovery Diode Optimized for High Speed Switching 10s Short Circuit CapabilityApplications Solar Inverter UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage V 1200 VCES100 AIc T=25Collector Curren
msg50t120fhw.pdf

MSG50T120FHW1200V Field stop Trench IGBTFeatures High Speed Switching & Low Power Loss High Input Impedance VCE(sat) = 2V @ IC = 50A High Input ImpedanceApplications PFC UPS InverterAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitCollector-emitter voltage V 1200CESVGate-emitter voltage V 20GEST =25C 100CCollector curre ICT
msg50t65fqc.pdf

MSG50T65FQCN-Channel IGBTFeatures Low gate charge Trench FS Technology Saturation voltage:VCE(sat),typ=1.6V@IC=50A and TC=25Applications General purpose inverter UPSAbsolute Ratings(Tc=25)ValueParameter Symbol UnitMSG50N65FQCCollector-Emmiter Voltage V 650 VceIC 100 A*Collector Current-continuous T=25T=10050 AIF100 ADiod
msg50t65fhc.pdf

MSG50T65FHCFeatures Low gate charge Trench FS Technology, saturation voltage: V ,CE(sat)type =1.6V,I =50A and TC =25CC RoHS productApplications General purpose inverters UPSAbsolute RatingsTc=25Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage Vces 650 V100 AIc T=25*Collector Current-continuousT=10050 ACollector Curre
Другие IGBT... MSG160T65HLC1 , MSG20T65FQS , MSG20T65FQT , MSG20T65FQC , MSG30T65FT , MSG30T65FS , MSG30T65FC , MSG40T65FL , SGT40N60NPFDPN , MSG75T120FQC1 , MSG75T120FQW , MSG75T65FQC , CRG25T120BK3S , CRG40T120AK3S , CRG40T120AK3SD , CRG40T60AN3H , CRG40T60AN3HD .
History: IXSM40N60 | STGWA60NC60WDR | FGA25S125P | RJP60F4DPM | NGB8204N | RJH60D5DPM | HGTH12N40C1
History: IXSM40N60 | STGWA60NC60WDR | FGA25S125P | RJP60F4DPM | NGB8204N | RJH60D5DPM | HGTH12N40C1



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent