MSG75T120FQW - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MSG75T120FQW
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 115 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 470 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 312 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 270 nC
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для MSG75T120FQW
MSG75T120FQW Datasheet (PDF)
msg75t120fqc1 msg75t120fqw.pdf
MSG75T120FQW/C1Features V = 1.85V@V = 15V,I = 75ACE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveformsApplications UPS AC & DC motor controls general purpose inverter .Absolute Ratings(Tc=25)Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage V 1200 VceI 115 ACCollector Current-continuous T=25
msg75t120fqw.pdf
MSG75T120FQWFeatures V = 1.85V@V = 15V,I = 75ACE(sat)(typ.) GE C High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveformsApplications UPS AC & DC motor controls general purpose inverter .Absolute Ratings(Tc=25)Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage V 1200 VceI 115 ACCollector Current-continuous T=25
msg75t65fqc.pdf
MSG75T65FQCN-Channel IGBTFeatures Low gate charge FS Technology Short circuit withstand time 10 uS Saturation voltage:VCE(sat),typ=1.7VApplications General purpose inverter Induction heating(IH) UPSOrder MessageOrder codes Marking PackageMSG75T65FQC MSG75T65FQC TO-247Absolute Ratings(Tc=25)ValueParameter Symbol UnitMSG75T65FQCCollector
msg75t65hhc0.pdf
MSG75T65HHC0N-Channel IGBTFeatures Low gate charge Short circuit withstand time 10 uS Saturation voltage:VCE(sat),typ=1.7VApplications General purpose inverter Induction heating(IH) UPSOrder MessageOrder codes Marking PackageMSG75T65HHC0 MSG75T65HHC0 TO-247Absolute Ratings(Tc=25)Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage V 650 Vce
msg75c65hhc0.pdf
MSG75C65HHC0N-Channel IGBTFeatures Low gate charge Trench FS Technology, silicon carbide diode Fast switching speed Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient RoHS productApplications Charging pile UPS Solar convertersAbsolute Ratings(Tc=25)Parameter Symbol Value UnitCollector-Emmiter Voltage V 650 Vce
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2