Справочник IGBT. CRG25T120BK3S

 

CRG25T120BK3S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CRG25T120BK3S
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G25T120BK3S
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 278
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 50
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 77
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 141.2
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для CRG25T120BK3S

 

 

CRG25T120BK3S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:936K  crhj
 crg25t120bk3s.pdf

CRG25T120BK3S CRG25T120BK3S

CRG25T120BK3S CRG25T120BK3S VCES 1200 V RoHS IC 25 A Ptot TC=25 278 W VCE(sat) 2.0 V TO-247

 ..2. Size:1231K  wuxi china
 crg25t120bk3s.pdf

CRG25T120BK3S CRG25T120BK3S

Silicon FS Trench IGBT CRG25T120BK3S General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 25 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 278 W Ptot TC=25VCE(sat) 2.0 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturatio

 4.1. Size:784K  wuxi china
 crg25t120bnr3s.pdf

CRG25T120BK3S CRG25T120BK3S

Silicon FS Trench IGBT CRG25T120BNR3S General Description VCES 1200 V Using CRM's proprietary trench design, advanced FS(field stop) IC 25 A technology and integrated with Free Wheeling Diode, the 1200V Trench FS Ptot (TC=25) 208 W IGBT offers superior conduction and switching performances, high VCE(SAT) 1.95 V avalanche ruggedness. TO-3PN Features T

 7.1. Size:1157K  wuxi china
 crg25t135bkr3s.pdf

CRG25T120BK3S CRG25T120BK3S

Silicon FS Trench IGBT CRG25T135BKR3S General Description VCES 1350 V Using CRM's proprietary trench design, advanced FS(field stop) IC 25 A technology and integrated with Free Wheeling Diode, the 1350V Trench FS Ptot (TC=25) 208 W IGBT offers superior conduction and switching performances, high VCE(SAT) 1.95 V avalanche ruggedness. TO-247 Features Trench

Другие IGBT... MSG30T65FT , MSG30T65FS , MSG30T65FC , MSG40T65FL , MSG50T120FQW , MSG75T120FQC1 , MSG75T120FQW , MSG75T65FQC , SGT50T65FD1PT , CRG40T120AK3S , CRG40T120AK3SD , CRG40T60AN3H , CRG40T60AN3HD , CRG40T60AK3HD , CRG40T65AK5H , CRG40T65AN5H , CRG40T65AK5HD .

 

 
Back to Top