Справочник IGBT. CRG40T60AK3HD

 

CRG40T60AK3HD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CRG40T60AK3HD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G40T60AK3HD
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 336 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 62 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 141 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 239 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для CRG40T60AK3HD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CRG40T60AK3HD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1182K  crhj
crg40t60an3hd crg40t60ak3hd.pdfpdf_icon

CRG40T60AK3HD

CRG40T60AN3HD, CRG40T60AK3HD CRG40T60AN3HD CRG40T60AK3HD VCES 600 V FS IGBT IC 40 A RoHS Ptot TC=25 336 W VCE(sat) 1.9 V TO-3PN FS

 ..2. Size:1086K  wuxi china
crg40t60ak3hd.pdfpdf_icon

CRG40T60AK3HD

Silicon FS Trench IGBT CRG40T60AK3HD General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 40 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 336 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.9 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturati

 2.1. Size:1116K  wuxi china
crg40t60ak3h.pdfpdf_icon

CRG40T60AK3HD

Silicon FS Trench IGBT CRG40T60AK3H General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 40 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 280 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.9 V performances. RoHS Compliant. TO- 247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturati

 3.1. Size:998K  wuxi china
crg40t60ak3sd.pdfpdf_icon

CRG40T60AK3HD

CRG40T60AK3SD General Description VCES 650 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 40 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 280 W Ptot TC=25VCE(sat) 1.7 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low sat

Другие IGBT... MSG75T120FQC1 , MSG75T120FQW , MSG75T65FQC , CRG25T120BK3S , CRG40T120AK3S , CRG40T120AK3SD , CRG40T60AN3H , CRG40T60AN3HD , IRG7IC28U , CRG40T65AK5H , CRG40T65AN5H , CRG40T65AK5HD , CRG40T65AN5HD , CRG60T60AK3HD , CRG75T60AK3HD , CRG75T65AK5HD , CRGMF100T120FSA3 .

 

 
Back to Top

 


 
.