CRGMF100T120FSA3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CRGMF100T120FSA3
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 428 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6(typ) V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 572 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для CRGMF100T120FSA3
CRGMF100T120FSA3 Datasheet (PDF)
crgmf100t120fsa3.pdf
IGBT- CRGMF100T120FSA3IGBT-modules C / Appearance VCES = 1200V IC nom = 100A / ICRM = 200A 34mm / Half Bridge / Features / IGBT High Speed Trench / Field Stop IGBT Low Switching Losses Standard Housing / Applications
crgmf50t120fsc.pdf
IGBT- CRGMF50T120FSC IGBT-modules / Appearance VCES = 1200V IC nom = 50A / ICRM = 100A 34mm / Half Bridge / Features / IGBT High Speed Trench / Field Stop IGBT Low Switching Losses Standard Housing / Applications
crgmf75t120fsc.pdf
IGBT- CRGMF75T120FSC IGBT-modules / Appearance VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A 34mm / Half Bridge / Features / IGBT High Speed Trench / Field Stop IGBT Low Switching Losses Standard Housing / Applications
Другие IGBT... CRG40T60AK3HD , CRG40T65AK5H , CRG40T65AN5H , CRG40T65AK5HD , CRG40T65AN5HD , CRG60T60AK3HD , CRG75T60AK3HD , CRG75T65AK5HD , IRGP4086 , CRGMF50T120FSC , CRGMF75T120FSC , SPD15N65T1 , SPT10N120T1 , SPT15N120F1 , SPT15N120T1 , SPT15N65T1 , SPT20N120F1 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2