Справочник IGBT. CRGMF100T120FSA3

 

CRGMF100T120FSA3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CRGMF100T120FSA3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 428 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 572 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для CRGMF100T120FSA3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CRGMF100T120FSA3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:811K  crhj
 crgmf100t120fsa3.pdf pdf_icon

CRGMF100T120FSA3

IGBT- CRGMF100T120FSA3IGBT-modules C / Appearance VCES = 1200V IC nom = 100A / ICRM = 200A 34mm / Half Bridge / Features / IGBT High Speed Trench / Field Stop IGBT Low Switching Losses Standard Housing / Applications

 9.1. Size:524K  crhj
 crgmf50t120fsc.pdf pdf_icon

CRGMF100T120FSA3

IGBT- CRGMF50T120FSC IGBT-modules / Appearance VCES = 1200V IC nom = 50A / ICRM = 100A 34mm / Half Bridge / Features / IGBT High Speed Trench / Field Stop IGBT Low Switching Losses Standard Housing / Applications

 9.2. Size:526K  crhj
 crgmf75t120fsc.pdf pdf_icon

CRGMF100T120FSA3

IGBT- CRGMF75T120FSC IGBT-modules / Appearance VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A 34mm / Half Bridge / Features / IGBT High Speed Trench / Field Stop IGBT Low Switching Losses Standard Housing / Applications

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.