SPD15N65T1 - аналоги и описание IGBT

 

SPD15N65T1 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: SPD15N65T1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 80 pF
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SPD15N65T1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры SPD15N65T1

 ..1. Size:1908K  cn sptech
 spd15n65t1.pdf pdf_icon

SPD15N65T1

SPD15N65T1 650V /15A Trench Field Stop IGBT Features Max Junction Temperature 150 C V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for improved reliability I 15 A C Short Circuit Rated V I =15A 1.65 V CE(SAT) C Very Low Saturation Voltage V = 1.65V (Typ.) @ I = 15A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms Applications Soft switching application

 0.1. Size:6260K  cn sps
 spd15n65t1t0tl.pdf pdf_icon

SPD15N65T1

SPD15N65T1T0TL 650V /15A Tren ch Field Stop IGBT V 650 V CE Features I 15 A C Max Junction Temperature 150 C High breakdown voltage up to 650V for V I =15A 1.65 V CE(SAT) C improved reliability Short Circuit Rated Very Low Saturation Voltage V = 1.65V (Typ.) @ I = 15A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms Applications Soft switching appli

 9.1. Size:639K  1
 spd15p10pg spp15p10pg.pdf pdf_icon

SPD15N65T1

SPP15P10P G SPD15P10P G SIPMOS Small-Signal-Transistor Product Summary Features V -100 V DS P-Channel R 0.24 DS(on),max Enhancement mode I -15 A D Normal level Avalanche rated PG-TO220-3 PG-TO252-3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Type Package Marking Lead free Packing SPP15P10P G PG-TO220-3 15P10P Yes Non dry SPD15P10P G PG-TO252-3 15P10P Yes N

 9.2. Size:692K  infineon
 spd15p10plg.pdf pdf_icon

SPD15N65T1

SPD15P10PL G SIPMOS Power-Transistor Product Summary Features V -100 V DS P-Channel R 0.20 DS(on),max Enhancement mode I -15 A D logic level Avalanche rated PG-TO252-3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Type Package Marking Lead free Packing SPD15P10PL G PG-TO252-3 15P10PL Yes Non dry Maximum ratings, at T =25 C, unless otherwise specified j Pa

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CRG40T65AK5HD , CRG40T65AN5HD , CRG60T60AK3HD , CRG75T60AK3HD , CRG75T65AK5HD , CRGMF100T120FSA3 , CRGMF50T120FSC , CRGMF75T120FSC , IRGP4063D , SPT10N120T1 , SPT15N120F1 , SPT15N120T1 , SPT15N65T1 , SPT20N120F1 , SPT25N120F1A1 , SPT25N120T1 , SPT25N120U1 .

 

 
Back to Top

 


 
.