Справочник IGBT. SPT25N120T1

 

SPT25N120T1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SPT25N120T1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 21 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 105 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 135 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SPT25N120T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1896K  cn sptech
 spt25n120t1.pdf pdf_icon

SPT25N120T1

SPT25N120T11200V /25A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V forI 25 A Cimproved reliabilityV I =25A 1.65 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stablebehavior Short circuit withstand time 10s Low VCE(SAT) Easy parallel switch

 0.1. Size:5580K  cn sps
 spt25n120t1t8tl.pdf pdf_icon

SPT25N120T1

SPT25N120T1T8TL1200V /25A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V forI 25 A Cimproved reliabilityV I =25A 1.65 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stablebehavior Short circuit withstand time 10s Low VCE(SAT) Easy parallel sw

 5.1. Size:5254K  cn sps
 spt25n120u1t8tl.pdf pdf_icon

SPT25N120T1

SPT25N120U1T8TL1200V /25A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V forI 25 A Cimproved reliabilityV I =25A 2.05 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 10s Low VCEsat Easy parallel switching capability duet

 5.2. Size:5495K  cn sps
 spt25n120f1.pdf pdf_icon

SPT25N120T1

SPT25N120F11200V /20A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V forI 20 A Cimproved reliabilityV I =20A 1.9 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : very tight parameter distribution high ruggedness, temperature stablebehavior Short circuit withstand time 10s High ruggedness, temperature stable

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CRGMF75T120FSC , SPD15N65T1 , SPT10N120T1 , SPT15N120F1 , SPT15N120T1 , SPT15N65T1 , SPT20N120F1 , SPT25N120F1A1 , SGT40N60FD2PN , SPT25N120U1 , SPT25N135F1A , SPT40N120 , SPL40N120 , SPT40N120F1A , SPT40N120F1A1 , SPT40N120F1C , SPT40N120T1B1 .

 

 
Back to Top

 


 
.