Справочник IGBT. SPL40N120

 

SPL40N120 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SPL40N120
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 64 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 295 pF
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для SPL40N120

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SPL40N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1640K  cn sptech
 spt40n120 spl40n120.pdf pdf_icon

SPL40N120

SPTECH Product SpecificationSPT40N120 SPL40N121200V 40A High Speed IGBTFEATURES 1200V Trench & Field Stop technology Low saturation voltage High switching frequency Very soft , fast recovery anti-parallel diodeGGCAPPLICATIONS CETO-247 E TO-264 Welding converters Uninterruptible Power SupplyC General purpose invertersOrdering Information

 9.1. Size:651K  silikron
 sspl4004.pdf pdf_icon

SPL40N120

SSPL4004 Main Product Characteristics: VDSS 40V RDS(on) 3.9mohm(typ.) ID 180A Mar ki ng a nd p in TO220 Sche ma ti c di agr a m Assignment Features and Benefits: Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

Другие IGBT... SPT15N120T1 , SPT15N65T1 , SPT20N120F1 , SPT25N120F1A1 , SPT25N120T1 , SPT25N120U1 , SPT25N135F1A , SPT40N120 , SGT60N60FD1P7 , SPT40N120F1A , SPT40N120F1A1 , SPT40N120F1C , SPT40N120T1B1 , SPT50N65F1A , SPT50N65F1A1 , SPT60N65F1A1 , SPD15N65T1T0TL .

History: APT150GN120J | CM300DU-12F | IXBK75N170A | MMG600WB065TLB6EN | IKQ120N60TA

 

 
Back to Top

 


 
.