Справочник IGBT. SPL40N120

 

SPL40N120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SPL40N120
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 500
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 64
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.2(typ)
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 65
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 295
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 225
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для SPL40N120

 

 

SPL40N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1640K  cn sptech
 spt40n120 spl40n120.pdf

SPL40N120 SPL40N120

SPTECH Product SpecificationSPT40N120 SPL40N121200V 40A High Speed IGBTFEATURES 1200V Trench & Field Stop technology Low saturation voltage High switching frequency Very soft , fast recovery anti-parallel diodeGGCAPPLICATIONS CETO-247 E TO-264 Welding converters Uninterruptible Power SupplyC General purpose invertersOrdering Information

 9.1. Size:651K  silikron
 sspl4004.pdf

SPL40N120 SPL40N120

SSPL4004 Main Product Characteristics: VDSS 40V RDS(on) 3.9mohm(typ.) ID 180A Mar ki ng a nd p in TO220 Sche ma ti c di agr a m Assignment Features and Benefits: Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

Другие IGBT... SPT15N120T1 , SPT15N65T1 , SPT20N120F1 , SPT25N120F1A1 , SPT25N120T1 , SPT25N120U1 , SPT25N135F1A , SPT40N120 , FGPF4633 , SPT40N120F1A , SPT40N120F1A1 , SPT40N120F1C , SPT40N120T1B1 , SPT50N65F1A , SPT50N65F1A1 , SPT60N65F1A1 , SPD15N65T1T0TL .

 

 
Back to Top