SPL40N120 - аналоги и описание IGBT

 

SPL40N120 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SPL40N120

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 64 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 295 pF

Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для SPL40N120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SPL40N120 даташит

 ..1. Size:1640K  cn sptech
 spt40n120 spl40n120.pdf pdf_icon

SPL40N120

SPTECH Product Specification SPT40N120 SPL40N12 1200V 40A High Speed IGBT FEATURES 1200V Trench & Field Stop technology Low saturation voltage High switching frequency Very soft , fast recovery anti-parallel diode G G C APPLICATIONS C E TO-247 E TO-264 Welding converters Uninterruptible Power Supply C General purpose inverters Ordering Information

 9.1. Size:651K  silikron
 sspl4004.pdf pdf_icon

SPL40N120

SSPL4004 Main Product Characteristics VDSS 40V RDS(on) 3.9mohm(typ.) ID 180A Mar ki ng a nd p in TO220 Sche ma ti c di agr a m Assignment Features and Benefits Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

Другие IGBT... SPT15N120T1 , SPT15N65T1 , SPT20N120F1 , SPT25N120F1A1 , SPT25N120T1 , SPT25N120U1 , SPT25N135F1A , SPT40N120 , IRGP4086 , SPT40N120F1A , SPT40N120F1A1 , SPT40N120F1C , SPT40N120T1B1 , SPT50N65F1A , SPT50N65F1A1 , SPT60N65F1A1 , SPD15N65T1T0TL .

History: STGW20NB60HD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.