Справочник IGBT. SPT40N120F1A1

 

SPT40N120F1A1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SPT40N120F1A1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 417
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.4
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 27
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 180
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 270
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SPT40N120F1A1

 

 

SPT40N120F1A1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1987K  cn sptech
 spt40n120f1a1.pdf

SPT40N120F1A1 SPT40N120F1A1

SPT40N120F1A11200V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V forI 40 A Cimproved reliabilityV I =40A 2.0 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 10s Low VCEsat Easy parallel switching capability dueto p

 0.1. Size:5763K  cn sps
 spt40n120f1a1t8tl.pdf

SPT40N120F1A1 SPT40N120F1A1

SPT40N120F1A1T8TL1200V / 40A Trench Field Stop IGBTFEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V forI 40 A Cimproved reliabilityV I =40A 2.0 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 10s Low VCEsat Easy parallel switching capability due

 2.1. Size:5557K  cn sps
 spt40n120f1at8tl.pdf

SPT40N120F1A1 SPT40N120F1A1

SPT40N120F1AT8TL1200V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V forI 40 A Cimproved reliabilityV I =40A 2.0 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 10s Low VCEsat Easy parallel switching capability duet

 2.2. Size:1873K  cn sptech
 spt40n120f1a.pdf

SPT40N120F1A1 SPT40N120F1A1

SPT40N120F1A1200V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V forI 40 A Cimproved reliabilityV I =40A 2.0 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 10s Low VCEsat Easy parallel switching capability dueto po

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top