Справочник IGBT. SPT60N65F1A1

 

SPT60N65F1A1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SPT60N65F1A1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 79 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SPT60N65F1A1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1785K  cn sptech
 spt60n65f1a1.pdf pdf_icon

SPT60N65F1A1

SPT60N65F1A1 650V /60A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer low V 650 V CEswitching losses, high energy efficiency and I 60 A Chigh avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =60A 1.85 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering :

 0.1. Size:5471K  cn sps
 spt60n65f1a1t8tl.pdf pdf_icon

SPT60N65F1A1

SPT60N65F1A1T8TL650V /60A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer low V 650 V CEswitching losses, high energy efficiency and I 60 A Chigh avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =60A 1.85 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering

Другие IGBT... SPT40N120 , SPL40N120 , SPT40N120F1A , SPT40N120F1A1 , SPT40N120F1C , SPT40N120T1B1 , SPT50N65F1A , SPT50N65F1A1 , IKW50N60H3 , SPD15N65T1T0TL , SPF15N65T1T1TL , SPF15N65T1T2TL , SPT10N120T1T8TL , SPT15N120F1T8TL , SPT15N120T1T8TL , SPT25N120F1 , SPT25N120F1A1T8TL .

History: IRGP4078D | AFGHL40T65SPD | SM2G150US60 | IXGC16N60C2 | APT20GF120KR | IXYH24N90C3D1 | MM50G3U120BMX

 

 
Back to Top

 


 
.