SPT60N65F1A1 - аналоги и описание IGBT

 

SPT60N65F1A1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SPT60N65F1A1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 79 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SPT60N65F1A1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SPT60N65F1A1 даташит

 ..1. Size:1785K  cn sptech
 spt60n65f1a1.pdf pdf_icon

SPT60N65F1A1

SPT60N65F1A1 650V /60A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer low V 650 V CE switching losses, high energy efficiency and I 60 A C high avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =60A 1.85 V CE(SAT) C FEATURES High breakdown voltage up to 650V for improved reliability Trench-Stop Technology offering

 0.1. Size:5471K  cn sps
 spt60n65f1a1t8tl.pdf pdf_icon

SPT60N65F1A1

SPT60N65F1A1T8TL 650V /60A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer low V 650 V CE switching losses, high energy efficiency and I 60 A C high avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =60A 1.85 V CE(SAT) C FEATURES High breakdown voltage up to 650V for improved reliability Trench-Stop Technology offering

Другие IGBT... SPT40N120 , SPL40N120 , SPT40N120F1A , SPT40N120F1A1 , SPT40N120F1C , SPT40N120T1B1 , SPT50N65F1A , SPT50N65F1A1 , JT075N065WED , SPD15N65T1T0TL , SPF15N65T1T1TL , SPF15N65T1T2TL , SPT10N120T1T8TL , SPT15N120F1T8TL , SPT15N120T1T8TL , SPT25N120F1 , SPT25N120F1A1T8TL .

History: STGW75H65DFB2-4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.