Справочник IGBT. SPT60N65F1A1

 

SPT60N65F1A1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SPT60N65F1A1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 260
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 120
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 79
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 130
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 158
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SPT60N65F1A1

 

 

SPT60N65F1A1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1785K  cn sptech
 spt60n65f1a1.pdf

SPT60N65F1A1 SPT60N65F1A1

SPT60N65F1A1 650V /60A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer low V 650 V CEswitching losses, high energy efficiency and I 60 A Chigh avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =60A 1.85 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering :

 0.1. Size:5471K  cn sps
 spt60n65f1a1t8tl.pdf

SPT60N65F1A1 SPT60N65F1A1

SPT60N65F1A1T8TL650V /60A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer low V 650 V CEswitching losses, high energy efficiency and I 60 A Chigh avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =60A 1.85 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering

Другие IGBT... SPT40N120 , SPL40N120 , SPT40N120F1A , SPT40N120F1A1 , SPT40N120F1C , SPT40N120T1B1 , SPT50N65F1A , SPT50N65F1A1 , SGT15T60QD1F , SPD15N65T1T0TL , SPF15N65T1T1TL , SPF15N65T1T2TL , SPT10N120T1T8TL , SPT15N120F1T8TL , SPT15N120T1T8TL , SPT25N120F1 , SPT25N120F1A1T8TL .

 

 
Back to Top