Справочник IGBT. SPF15N65T1T2TL

 

SPF15N65T1T2TL - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SPF15N65T1T2TL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 27
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 25
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 80
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 92
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SPF15N65T1T2TL

 

 

SPF15N65T1T2TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6908K  cn sps
 spf15n65t1t2tl.pdf

SPF15N65T1T2TL SPF15N65T1T2TL

SPF15N65T1T2TL650V /15A Trench Field Stop IGBT Features V 650 V CE Max Junction Temperature 150C High breakdown voltage up to 650V for I 15 A Cimproved reliabilityV I =15A 1.65 V CE(SAT) C Short Circuit Rated Very Low Saturation Voltage:V = 1.65V (Typ.) @ I = 15A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms Applications Soft switching applicat

 3.1. Size:6910K  cn sps
 spf15n65t1t1tl.pdf

SPF15N65T1T2TL SPF15N65T1T2TL

SPF15N65T1T1TL650V /15A Trench Field Stop IGBT Features V 650 V CE Max Junction Temperature 150C High breakdown voltage up to 650V for I 15 A Cimproved reliabilityV I =15A 1.65 V CE(SAT) C Short Circuit Rated Very Low Saturation Voltage:V = 1.65V (Typ.) @ I = 15A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms Applications Soft switching applicat

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top