SPT40N120T1BT8TL - аналоги и описание IGBT

 

SPT40N120T1BT8TL - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SPT40N120T1BT8TL

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SPT40N120T1BT8TL

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SPT40N120T1BT8TL даташит

 0.1. Size:5545K  cn sps
 spt40n120t1bt8tl.pdf pdf_icon

SPT40N120T1BT8TL

SPT40N120T1BT8TL 1200V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 40 A C improved reliability V I =40A 1.7 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering very tight parameter distribution high ruggedness, temperature stable behavior Short circuit withstand time 10 s High ruggedness, temperature stable

 2.1. Size:5972K  cn sps
 spt40n120t1b1t8tl.pdf pdf_icon

SPT40N120T1BT8TL

SPT40N120T1B1T8TL 1200V /40A TrenchField Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 40 A C improved reliability V I =40A 1.7 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering very tight parameter distribution high ruggedness, temperature stable behavior Short circuit withstand time 10 s High ruggedness, temperature stable

 2.2. Size:2301K  cn sptech
 spt40n120t1b1.pdf pdf_icon

SPT40N120T1BT8TL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPT25N120F1A1T8TL , SPT25N120T1T8TL , SPT25N120U1T8TL , SPT25N135F1AT8TL , SPT40N120F1A1T8TL , SPT40N120F1AT8TL , SPT40N120F1CT8TL , SPT40N120T1B1T8TL , IRG4PC50W , SPT50N65F1A1T8TL , SPT50N65F1AT8TL , SPT60N65F1A1T8TL , XNF6N60T , XNG100B24TC1S5 , XNS25N120T , XNS40N120T , XD015H060CX1S3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.