Справочник IGBT. SPT50N65F1AT8TL

 

SPT50N65F1AT8TL - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SPT50N65F1AT8TL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 260
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 22
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 130
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 180
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SPT50N65F1AT8TL

 

 

SPT50N65F1AT8TL Datasheet (PDF)

 0.1. Size:5494K  cn sps
 spt50n65f1at8tl.pdf

SPT50N65F1AT8TL SPT50N65F1AT8TL

SPT50N65F1AT8TL650V /50A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer V 650 V CElow switching losses, high energy efficiency I 50 A Cand high avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =50A 1.8 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering :

 3.1. Size:5480K  cn sps
 spt50n65f1a1t8tl.pdf

SPT50N65F1AT8TL SPT50N65F1AT8TL

SPT50N65F1A1T8TL650V /50A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer V 650 V CElow switching losses, high energy efficiency I 50 A Cand high avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =50A 1.65 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering

 3.2. Size:1793K  cn sptech
 spt50n65f1a1.pdf

SPT50N65F1AT8TL SPT50N65F1AT8TL

SPT50N65F1A1 650V /50A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer V 650 V CElow switching losses, high energy efficiency I 50 A Cand high avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =50A 1.65 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering :

 3.3. Size:1808K  cn sptech
 spt50n65f1a.pdf

SPT50N65F1AT8TL SPT50N65F1AT8TL

SPT50N65F1A 650V /50A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer V 650 V CElow switching losses, high energy efficiency I 50 A Cand high avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =50A 1.8 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering :

Другие IGBT... SPT25N120U1T8TL , SPT25N135F1AT8TL , SPT40N120F1A1T8TL , SPT40N120F1AT8TL , SPT40N120F1CT8TL , SPT40N120T1B1T8TL , SPT40N120T1BT8TL , SPT50N65F1A1T8TL , IKW50N60T , SPT60N65F1A1T8TL , XNF6N60T , XNG100B24TC1S5 , XNS25N120T , XNS40N120T , XD015H060CX1S3 , XD015H120CX1 , XD015H120CX1S3 .

 

 
Back to Top