Справочник IGBT. XP015PJE120AT1B1

 

XP015PJE120AT1B1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: XP015PJE120AT1B1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15(100C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.12 V @25℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 85 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

XP015PJE120AT1B1 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:807K  cn xdm
 xp015pje120at1b1.pdf pdf_icon

XP015PJE120AT1B1

XP015PJE120AT1B1PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeatures Trench+ Field Stop Technology1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Low Switching LossesApplications Frequency CovertersMotor DrivesAuxiliary InvertersEquivalent Circuit SchematicIGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions Values Unit

 7.1. Size:697K  cn xdm
 xp015pjs120cl1b1.pdf pdf_icon

XP015PJE120AT1B1

XP015PJS120CL1B1PIM with Trench Field-Stop IGBT, Emitter Controlled Diode and NTCFeaturesLow Switching Losses 1200V Trench Field-Stop IGBT Low VCE(sat) with Positive Temperature Coefficient Applications Auxiliary Inverters Air Conditioning Motor Drives Uninterruptive Power Supply (UPS)IGBT - InverterMaximum Rated ValuesSymbol Description Conditions

Другие IGBT... XD015H120CX1S3 , XD025H120CX1 , XD025H120CX1S3 , XD040H120AT1S3 , XD040Q120AT1S3 , XD050H065CX1S3 , XD050H120CX1S4 , XD075H065CX1S3 , SGT60U65FD1PT , XP015PJS120CL1B1 , XP025PJE120AT1B2 , XP035PJE120AT1B2 , XP040PJE120AL1B2 , XP050PCE120AT1E2 , XP075HFN120CT1R3 , XP075PCE120AL1E3 , XP15PJS120CL1B1 .

History: IXBF50N360 | FGH40T100SMD | 2MBI600VE-120-50

 

 
Back to Top

 


 
.