SGT15T60QD1F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGT15T60QD1F  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 42 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGT15T60QD1F

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGT15T60QD1F даташит

 ..1. Size:321K  silan
 sgt15t60qd1f.pdf pdf_icon

SGT15T60QD1F

 6.1. Size:339K  silan
 sgt15t60sd1t sgt15t60sd1f sgt15t60sd1str.pdf pdf_icon

SGT15T60QD1F

SGT15T60SD1T/F/S 15A 600V C 2 SGT15T60SD1T/F/S 1 Field Stop III G UPS,SMPS PFC 1 3 3 TO-263-2L E 15A 600V VCE

 9.1. Size:331K  silan
 sgt15u65sd1f sgt15u65sd1fd.pdf pdf_icon

SGT15T60QD1F

SGT15U65SD1F(FD) 15A 650V C 2 SGT15U65SD1F(FD) 4 1 G Plus Field Stop IV+ UPS SMPS PFC 3 E 15A 650V VCE(sat)( )=1.6V@IC

Другие IGBT... SGM40HF12A1TFD, SGM50HF12A1TFD, SGM50HF12A1TFDT4, SGM50PA12A6BTFD, SGM75HF12A1TFD, SGM75HF12A1TFD1, SGM75HF12A1TFDT4, SGM75HF12A1TLD, FGH40N60SFD, SGT20T60SDM1P7, SGT25T120FD1P7, SGT25U120FD1P7, SGT40N60FD2PN, SGT40N60FD2P7, SGT40N60NPFDPN, SGT50T65FD1PN, SGT50T65FD1P7