SGT50T65FD1PN Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: SGT50T65FD1PN
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 50T65FD1
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 145 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 90 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 145 nC
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам