Аналоги SGT50T65FD1PN. Основные параметры
Наименование: SGT50T65FD1PN
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 145 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 90 pF
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для SGT50T65FD1PN
SGT50T65FD1PN даташит
sgt50t65fd1pn sgt50t65fd1p7.pdf
SGT50T65FD1PN/P7 50A 650V C 2 SGT50T65FD1PN/P7 1 Field Stop IV G UPS,SMPS PFC 3 E 50A 650V VCE(sat)( )=2.0
sgt50t65sdm1p7.pdf
SGT50T65SDM1P7 50A 650V C 2 SGT50T65SDM1P7 1 Field Stop III G UPS SMPS PFC 3 E 50A 650V VCE(sat)( )=1.65V@IC=50A
Другие IGBT... SGM75HF12A1TLD , SGT15T60QD1F , SGT20T60SDM1P7 , SGT25T120FD1P7 , SGT25U120FD1P7 , SGT40N60FD2PN , SGT40N60FD2P7 , SGT40N60NPFDPN , CRG40T60AN3H , SGT50T65FD1P7 , SGT50T65FD1PS , SGT50T65FD1PT , SGTP5T60SD1D , SGTP5T60SD1F , SGTP5T60SD1S , AU40N120T3A2 , LGM100HF120S2F1A .
History: IXGX72N60C3H1
History: IXGX72N60C3H1
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194