SGTP5T60SD1S аналоги, datasheet, параметры транзистора

SGTP5T60SD1S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGTP5T60SD1S 📄📄

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 26 pF

Тип корпуса: TO263

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SGTP5T60SD1S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

..1. Size:648K silan
sgtp5t60sd1d sgtp5t60sd1f sgtp5t60sd1s.pdf pdf_icon

SGTP5T60SD1D/F/S 5A 600V C 2 SGTP5T60SD1D/F/S 1 G 1 Field Stop 3 UPS SMPS PFC TO-252-2L 3 E 5A 600V VCE(sat)( )=1.5V@IC=5

SGTP5T60SD1D(F)(S) 5A 600V C 2 SGTP5T60SD1D/F/S 1 G 1 Field Stop 3 UPS SMPS PFC TO-252-2L 3 E 5A 600V VCE(sat)( )=1.5V@IC=

9.1. Size:487K silan
sgtp50t120fdb4pwa.pdf pdf_icon

SGTP50T120FDB4PWA 50A 1200V C 2 SGTP50T120FDB4PWA 1 G Field Stop IV UPS SMPS PFC 3 E 50A 1200V VCE(sat)( )=2.0V@IC=50A

9.2. Size:472K silan
sgtp50v65sdb1p7.pdf pdf_icon