Справочник IGBT. YGK15N65T2

 

YGK15N65T2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: YGK15N65T2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 45 nC
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для YGK15N65T2

 

 

YGK15N65T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:522K  cn luxin semi
 ygf15n65t2 ygk15n65t2 ygp15n65t2.pdf

YGK15N65T2 YGK15N65T2

YGF15N65T2 YGK15N65T2 YGP15N65T2 650V /15A Trench Field Stop IGBT Features Max Junction Temperature 175C V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for improved reliability I 15 A C Short Circuit Rated V I =15A 1.50 V CE(SAT) C Very Low Saturation Voltage: V = 1.50V (Typ.) @ I = 15A CE(SAT) C Soft current turn-off waveforms Applications

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top